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產(chǎn)品


GSC120R030B7

1200V, N Channel, SIC MOSFETs

產(chǎn)品規(guī)格書

產(chǎn)品參數(shù)

  • Package: TO-263-7
  • products_sort:
  • AEC Qualified: NO
  • Pb Free: YES
  • Halide free: YES
  • Reach: YES
  • RoHS: YES
  • Marketing Status: Active
  • Configuration: Single
  • Channel Polarity: N
  • PD(W) Max.: 375
  • V(BR)DSS(V) Min.: 1200
  • VGS(V) Max.: -10/+22
  • ID(A) Max.: 73
  • IGSS(uA) Max.: ±0.1
  • VGS(th)(V) Max.: 3.5
  • RDS(on)(mΩ)@ 18VTyp.: 27
  • RDS(on)(mΩ)@ 18VMax.: 35
  • RDS(on)(mΩ)@ 15VTyp.: 33
  • RDS(on)(mΩ)@ 15VMax.: 45
  • RDS(on)(mΩ)@ 10V Typ.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 10V Max.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 6V Typ.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 6VMax.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 4.5V Typ.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 4.5V Max.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 2.5V Typ.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 2.5V Max.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 1.8V Typ.:
  • RDS(on)(mΩ)@ 1.8V Max.:
  • Qg(nc) Typ: 132
  • @Vgs(V): -5/18
  • ESD: /
  • TJ(°C) max.: 175
  • TJ(°C) min.: -55
  • ECCN(US): EAR99
  • Category: SiC MOSFET

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PackageOutline-TO-263-7

 

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